850nm ሲ ፒን ሞጁሎች

ሞዴል፡ GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

የፎቶን-ፎቶ ኤሌክትሪክ-ሲግናልን ማጉላትን የመቀየር ሂደትን ለማሳካት ደካማ የአሁኑን ሲግናል ለማጉላት እና ወደ ቮልቴጅ ሲግናል ለመቀየር የሚያስችል የቅድመ-ማጉላት ወረዳ ያለው 850nm Si PIN photodiode ሞጁል ነው።

ጥቅስ ያግኙ አውርድ

የቴክኒክ መለኪያ

ንጥል #	የጥቅል ምድብ	ፎቶን የሚነካ ወለል (ሚሜ) ዲያሜትር	ምላሽ ሰጪነት	እየጨመረ ጊዜ (ns)	ተለዋዋጭ ክልል (ዲቢ)	ኦፕሬቲንግ ቮልቴጅ (V)	የድምጽ ቮልቴጅ (ኤምቪ)	ማስታወሻዎች
ንጥል #	የጥቅል ምድብ	ፎቶን የሚነካ ወለል (ሚሜ) ዲያሜትር	λ=850nm,φ_e=1μW		λ=850nm	ኦፕሬቲንግ ቮልቴጅ (V)	የድምጽ ቮልቴጅ (ኤምቪ)	ማስታወሻዎች
GD4213Y	ወደ-8	2	110	12	20	± 5 ± 0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	± 6 ± 0.3	40	(የአጋጣሚው አንግል፡ 0°፣ የ830nm~910nm ማስተላለፊያ ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	± 6 ± 0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	± 5 ± 0.1	25
ማስታወሻዎች፡ የGD4213Y የሙከራ ጭነት 50Ω ነው፣ የተቀሩት ደግሞ 1MΩ ናቸው።